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SK 海力士披露下一代 HBM 内存先进封装技术,引入英特尔 EMIB

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内容摘要

SK 海力士在 Hot Chips 2026 大会上披露下一代 HBM 封装路线图,计划借助英特尔 EMIB 等先进封装技术,未来进入 3D 封装阶段。其 HBM4 带宽超 2TB/s,功耗效率较 HBM3E 提升 40% 以上,容量最高 48GB,并正研发混合键合与 I-HBM 局部热点缓解技术以应对散热挑战。
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